9V 至 72V 的中高压体系一般需求以下一种或多种电路功用：热插拔操控、断路器毛病维护和浪涌电流约束。

　　图1所示电路为负载（C1和R2）供给浪涌电流约束和牢靠的断路器功用，但仅包含一个p沟道MOSFET、一个热插拔操控器IC和两个可选电阻（R1和R3）。在 MOSFET 漏极处增加一个低阻值电阻器可供给可调跳变点，并在整个工作温度规模内进步精度（图 2）。

　　图2.在图4电路中增加一个跳变点调整电阻（R1），可进步其初始精度和温度规模内的精度。

　　关于热插拔运用，U1 依据 9V/mS 的典型栅极驱动压摆率来约束浪涌电流。浪涌电流由公式 I = CdV/dT =CSR给出，其间 C = 负载电容，SR 是压摆率，由 U1 设定为 9V/mS（典型值）。关于 100μF 的负载电容，IC 将浪涌电流约束在大约 0.9A。

　　U1 的断路器功用运用内部比较器和 MOSFET 导通电阻 （RDS（ON）） 来检测毛病状况。Q1的（RDS（ON））典型值为52mΩ，U1具有300mV、400mV或500mV的可选断路器跳变点（CB）。在最低跳变点（300mV）处，TJ = 25°C时的CB跳闸电流典型值为5.77A。

　　与其用另一个导通电阻更高的MOSFET替代，不如增加一个与Q100串联的≈1mΩ电阻（即图4中的R2）。除了答应可调断路器电平外，R4 还供给更好的断路器精度和更高的温度稳定性。例如，（RDS（ON）Q1 为 ≈52mΩ at TJ= 25°C 和 ≈130mΩ atJ=125C，改变150%。假如加上一个100mΩ、100ppm/°C电阻（从0°C到001°C改变25.125Ω），则从25°C（152mΩ）到125°C（231mΩ）的组合方差仅为79mΩ，即52%。

　　为0V至+16V双电源体系供给齐备维护。MAX5970包含4路可编程LED输出。两个

　　及其运用 MOSFET的安全运作规模（SOA） LM5068 负电压

　　的功用比较 /

　　，带遥测功用 /

　　延迟时刻可能为200–400ns，因为栅极下拉电流有限，栅极关断时刻可能为10-50微秒。一同，高短路电流活动。

　　输出短路时的短路电流起伏和脉冲宽度 /

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